Panasonic heeft een nieuw type high-power GaN (galliumnitride) transistor ontwikkeld, waarmee lange-afstandscommunicatie met millimetergolven mogelijk wordt. De fabrikant heeft de transistor toegepast in een transceiver die een gemiddeld zendvermogen van 2 watt bij 25 GHz levert. Hiermee kunnen afstanden tot 84 km worden overbrugd.
Bij de nieuwe transistor wordt gebruik gemaakt van een speciale epitaxiale structuur op silicium, die een grote drain-stroom van 1,2 A/mm mogelijk maakt. Door toepassing van een SiN-film als gate-isolator wordt de doorslagspanning van de gate verhoogd, waardoor een hoge drain-spanning van 55 V kan worden toegepast. De transistor levert 10,7 W bij 25 GHz en dat is de hoogste waarde die tot nu toe bij deze frequentie met GaN op silicium is bereikt. De vermogensdichtheid bedraagt 2,4 W/mm bij 60 GHz.
De door Panasonic met de nieuwe transistor ontwikkelde transceiver maakt gebruik van Orthogonal Frequency Division Multiplexing (OFDM). Hierbij wordt de te verzenden data verdeeld over een groot aantal smalbandig gemoduleerde draaggolven. Dit maakt dataverbindingen met hoge capaciteit mogelijk.
Meer info:
http://panasonic.co.jp/corp/news/official.data/data.dir/en100722-2/en100722-2.html
Achtergrondartikelen
Wachtwoord vergeten?
)
