Onderzoekers van de Tohoku University in Japan en het Advanced Materials Laboratory van Sony hebben een blauw-violette halfgeleider-laser ontwikkeld die een piek-uitgangsvermogen van 100 watt kan leveren. Dat is een verbetering met een factor 100 ten opzichte van bestaande halfgeleider-lasers. De laser produceert korte lichtpulsen met hoge intensiteit die kunnen worden gebruikt voor data-opslag met zeer hoge dichtheid op een toekomstige generatie optische disks.
De nieuwe laser werkt met een golflengte van 405 nm en produceert pulsen met een lengte van 3 picoseconden en een piekvermogen van 100 watt bij een herhalingsfrequentie van 1 GHz. Door de hoge intensiteit van de pulsen ontstaat een niet-lineair optisch proces dat ‘twee-fotonen-absorptie’ wordt genoemd. Hierbij ontstaan in de buurt van het brandpunt van een lens waarop de laser wordt gericht chemische en thermische veranderingen die kleinere afmetingen hebben dan het brandpunt zelf.
In het Advanced Materials Laboratory van Sony werd de mogelijke toepassing van de nieuwe laser voor data-opslag getest. Bij deze test bleek het mogelijk om putjes met een diameter van ongeveer 300 nm en een onderlinge afstand van 3 nm in een plastic materiaal te schrijven, en deze opgeslagen informatie vervolgens met een laser foutloos te lezen.
De resultaten van het onderzoek werden op 12 juli 2010 gepubliceerd in het tijdschrift Applied Physics Letters.
Meer info:
www.sony.net/SonyInfo/News/Press/201007/10-0720E/index.html
Achtergrondartikelen
Wachtwoord vergeten?
)
