FET-RIAA
MD-voorversterker met SRPP
Gepubliceerd in Elektor nummer 483, januari 2004

Deze RIAA-voorversterker is volledig gebaseerd op FET's. De voorloper van deze schakeling (Elektuur 2/87) gebruikte ook de SRPP-topologie, maar was uitgevoerd met buizen. De schakeling moest wel worden aangepast omdat de uitgangsimpedantie en de versterking van een FET-SRPP-schakeling aanmerkelijk groter zijn dan van een zelfde schakeling uitgevoerd met buizen. De Series Regulated Push Pull schakeling werd in het verleden vaak in de HF-techniek aangetroffen. In de audio-techniek echter is deze schakeling nooit populair geworden. Omdat bij deze schakeling in principe geen tegenkoppeling wordt gebruikt, zal bij gebruik van bipolaire transistoren de vervorming te hoog oplopen. Worden in plaats van bipolaire transistoren FET's gebruikt, dan doet de schakeling niet meer onder voor zijn vroegere buizen-equivalent. De originaliteit van de SRPP-schakeling (U.S.-patent febr. 1943) is vooral gelegen in het feit dat twee transistoren of buizen gelijkspanningsmatig in serie geschakeld zijn.
Bijna heb ik de RIAA-voorversterker uit januari 2004 af. Aan het einde van het artikel staat echter dat de afregeling slechts bestaat uit het instellen van vier potentiometers. Deze moeten zodanig worden ingesteld dat de source-spanning van de bovenste FET gelijk is aan de halve voedingsspanning. Ondanks dat ik de spanning heel precies op de helft heb afgeregeld (bij mij 23,8 / 2 = 11,9) is de geluidskwaliteit niet echt bevredigend. De eerste SRPP-trap genereert een hoop ruis en verderop in de versterker wordt het er niet beter op. Ik heb 220 trimmers gebruikt, in plaats van de 250 die in de onderdelenlijst gespecificeerd wordt. Kan dit het probleem verklaren? Jens Axboe Het afstellen op de halve voedingsspanning is niet zo kritisch. Een paar volt verschil maakt niet uit omdat het signaalniveau maar klein is. Belangrijker is dat beide kanalen hetzelfde zijn ingesteld zodat de versterker mooi symmetrisch werkt. Het ruisen is inherent aan het ontwerp. Dit heeft niets te maken met de gebruikte potmeters. FET’s genereren nu eenmaal meer ruis dan het geval zou zijn bij een ‘bipolair’ ontwerp. Verder is de impedantie van de weerstanden in de eerste trap relatief hoog waardoor de thermische ruis ook wat hoger is.
|
Klik hieronder om dit artikel en/of print layout te downloaden als PDF.
Let op: bij oudere projecten kunnen we niet garanderen dat alle onderdelen leverbaar zijn.
|